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半導(dǎo)體芯片|半導(dǎo)體彈片、第三代半導(dǎo)體助力實(shí)現(xiàn)“碳達(dá)峰、碳中和”

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半導(dǎo)體芯片|半導(dǎo)體彈片、第三代半導(dǎo)體助力實(shí)現(xiàn)“碳達(dá)峰、碳中和”

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瀏覽：- 發(fā)布日期：2021-06-29 10:08:33【大中小】

半導(dǎo)體芯片|半導(dǎo)體彈片、第三代半導(dǎo)體助力實(shí)現(xiàn)“碳達(dá)峰、碳中和”，都在關(guān)注節(jié)能減排，各行各業(yè)越來越重視綠色發(fā)電、高效用電。在消費(fèi)電子領(lǐng)域，氮化鎵（GaN）快充憑借小巧、高效、發(fā)熱低的性能優(yōu)勢，廣受消費(fèi)者青睞，目前已被大多數(shù)主流手機(jī)廠商所采用。在新能源汽車領(lǐng)域，碳化硅（SiC）功率器件因體積小、重量輕、耐熱能夠大幅提升電源效率，從而增加續(xù)航里程，如今在特斯拉的帶動下，正影響著電動汽車等各個(gè)行業(yè)，華為比亞迪皆已進(jìn)場。

在工業(yè)領(lǐng)域，未來大量采用自動設(shè)備意味著更多的電能消耗，而采用高效電機(jī)、變頻器和智能電源管理系統(tǒng)將會是工廠節(jié)能的主要方式，在這里，電源IC及系統(tǒng)、功率器件和第三代半導(dǎo)體同樣有著廣闊的市場應(yīng)用空間。未來五年，隨著第三代半導(dǎo)體材料在材料生長、器件制備等技術(shù)上實(shí)現(xiàn)突破，SiC和GaN器件還將廣泛應(yīng)用于5G基站、大功率充電樁、電網(wǎng)、數(shù)據(jù)中心、光伏等場景，大幅降低整體能耗。

半導(dǎo)體芯片|半導(dǎo)體彈片